三星 HBM4 2月出貨

消息人士透露，三星電子計劃下個月開始生產新一代高頻寬記憶體晶片HBM4，可能是首批供貨給輝達廠商之一，顯示該公司縮小與對手SK海力士的差距，且可能是三星在HBM市場的轉捩點。

韓媒引述知情人士報導，三星HBM4近來通過輝達和超微（AMD）的最終認證，下月將量產出貨，預計用於下半年發佈的AI加速器，包括輝達Rubin、超微MI450。彭博資訊消息略有不同，指出三星HBM4「即將」取得輝達的最終認證。

韓媒表示，業界觀察家說，三星HBM4爲縮小差距，大膽決定採第六代10奈米（1c）DRAM製程，加上邏輯晶粒使用4奈米制程。

AI晶片大廠傳出修改認證基準，提高速度要求，但放寬熱度限制，專家表示：「市場需求改變，提高速度門檻，同時允許更高的運作溫度。儘管DRAM 1c製程的初期良率非常低，三星仍決定推動，似乎是達到要求的關鍵」。相形之下，SK海力士的HBM4，採第五代10奈米（1b）DRAM製程，邏輯晶粒則請臺積電（2330）以12奈米生產。